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　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消三大改造的内容和意义，简述三大改造的内容息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在(zài)华销售产品进行了(le)网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安三大改造的内容和意义，简述三大改造的内容全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵(zūn)三大改造的内容和意义，简述三大改造的内容守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市(shì)场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公(gōng)司在下(xià)游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司(sī)也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长(zhǎng)。

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